Kioxia mostra un possible successor de nand '' twin BIC flaix '

Kioxia, coneguda anteriorment com Toshiba Memory, ha creat un successor de les memòries flaix 3D NAND, que ofereix una major densitat d'emmagatzematge en comparació amb el flaix NAND de QLC.

Kioxia dissenya la tecnologia Twin BIC Flash la densitat de la memòria NAND

Aquesta nova tecnologia, que es va anunciar el dijous, permet que els xips de memòria tinguin cel·les més petites i més emmagatzematge per cel·la, el que pot augmentar significativament la densitat de memòria per cel·la.

Kioxia va anunciar la primera "estructura cel·lular de memòria flash de porta dividida semicircular tridimensional" ("three-dimensional semicircular split-gate flash memory cell structure") de l'món, que es diu Twin BIC Flash. Això és diferent de l'altre producte de Kioxia, BiCS5 Flash. BiCS5 Flash utilitza cèl·lules parany de càrrega circulars, mentre que el Twin BIC Flash utilitza cèl·lules de comporta flotant semicirculars. La nova estructura amplia la finestra de programació de la cèl·lula, tot i que les cèl·lules són físicament més petites en comparació amb la tecnologia de TC.

El flaix de Twin BIC és la millor opció actualment per tenir èxit amb la tecnologia NAND de QLC, tot i que encara es desconeix la futura implementació d'aquest xip. Aquest nou xip augmenta significativament l'emmagatzematge de la memòria flash, el que ha estat un gran problema per als fabricants, encara que actualment hi ha tres escoles de pensament sobre com solucionar això.

Una de les opcions és la d'augmentar el nombre de capes. Els fabricants han aprovat recentment els xips de flash NAND de 96 capes i han aconseguit els xips de flash NAND de 128 capes. Una altra forma d'augmentar la densitat de la tecnologia flash NAND és reduir la mida de les cèl·lules, el que permet que es puguin col·locar més cèl·lules en una sola capa.

Visita la nostra guia sobre les millors unitats SSD de mercat

L'última forma d'augmentar la densitat de la memòria NAND és millorar els bits totals per cel·la, que és la més utilitzada pels fabricants. Aquest mètode ens ha permès obtenir SLC, MLC, TLC, i el més recent és el QLC NAND, que augmenta en un el nombre de bits per cel·la en comparació amb la tecnologia anteriors.

Aquesta tecnologia més recent, el Twin BIC Flash, es troba encara en la fase de recerca i desenvolupament i està a molts anys de ser implementada. Tot i que està previst que els xips flash NAND de 128 capes de BiCS5 surtin a l'mercat en 2020, els fabricants, SK Hynix i Samsung van poder superar les 100 capes a principis de 2019, amb els xips NAND de 128 capes 4D i V-NAND v6.

font wccftech