La memòria hbm3 ofereix el doble d'ample de banda que la segona generació
Taula de continguts:
No hi ha cap dubte que la tecnologia de memòria HBM és el futur de les targetes gràfiques, els seus avantatges són innegables malgrat que ara per ara el seu ús segueix plantejant massa dificultats. HBM3 serà la tercera generació i ja hem conegut algunes de les seves impressionants característiques.
HBM3 oferirà 512 GB / s per stack
RAMBUS ha revelat les especificacions de la memòria HBM3 que arribarà al costat de la starjetas gràfiques de properes generacions, per ara les especificacions no són definitives però si que ens donen una idea de per on aniran els trets.
Que ningú s'emocioni ja que no s'espera que vegem les primeres GPUs amb memòria HBM3 fins a l'any 2019 com a mínim, AMD ha estat la pionera a apostar per aquesta tecnologia i les seves properes targetes límit de gamma en l'any 2018 seguiran fent servir la memòria HBM2 el potencial és molt superior al que hem pogut veure en les Radeon RX Vega de manera que encara queda molt marge per explotar.
AMD Radeon RX Vega 64 Review en Espanyol (Anàlisi completa)
RAMBUS afirma que la memòria HBM3 doblarà l'ample de banda de l'actual HBM2, això com a mínim. Amb això podem esperar que HBM3 ofereixi un ample de banda de 512 GB / s per cada stack, just el doble que l'actual HBM2 que es queda en els 256 GB / s com a màxim per cada stack amb una interfície de 1024 bits. L'ús de dues stacks de HBM3 ens donaria una xifra d'1 TB / s d'ample de banda mentre que amb quatre stacks es podria arribar als 2 TB / s. Per assolir aquestes impressionants prestacions s'utilitzarà un procés de fabricació a 7 nm.
E ls fabricants de GPUs no haurien de tenir pressa a muntar aquesta nova memòria HBM3, ja hem vist com les presses no li han portat res de bo a una AMD que ha vist com les seves arquitectures Fiji i Vega no han estat a l'altura de les expectatives per centrar-se en una tecnologia de memòria HBM amb una disponibilitat massa reduïda i que a l'hora de la veritat ha suposat més problemes que beneficis.
font wccftechSamsung ja fabrica en massa la segona generació de memòria lpddr4x a 10 nanòmetres
Samsung Electronics, líder mundial en tecnologia de memòria d'alt rendiment per a tot tipus de dispositius electrònics, ha anunciat avui que ha Samsung ha anunciat que ha començat a fabricar en massa la segona generació de memòria LPDDR4X a 10 nanòmetres, tots els detalls.
▷ Ample de banda: definició, què és i com es calcula
Si vols saber què és l'ample de banda ✅ com calcular i com saber quin és el nostre, visita aquest article.
Samsung presenta la nova memòria hbm2e d'alt ample de banda
Samsung acaba de presentar la seva nova memòria d'alt ample de banda HBM2E (Flashbolt) en l'esdeveniment GTC 2019 de NVIDIA.
