Micron inicia la producció massiva de xips dram lpddr4x de 12GB
Taula de continguts:
Micron va anunciar aquesta setmana que havia començat la producció en massa dels seus primers dispositius de memòria LPDDR4X utilitzant la seva tecnologia de procés de segona generació de 10 nm. Les noves memòries ofereixen velocitats de transferència de dades estàndard de fins a 4.266 Gbps per pin i consumeixen menys energia que els anteriors xips LPDDR4.
Micron comença la producció xips DRAM LPDDR4X de 12GB, més barates que les de Mediatek
Els xips LPDDR4X de Micron es fabriquen utilitzant la tecnologia 1Y-nm de la companyia i tenen una capacitat de 12 Gb. El fabricant diu que aquests xips de memòria consumeixen un 10% menys d'energia en comparació dels seus productes LPDDR4-4266; això es deu al fet que compten amb una menor tensió de sortida de l'excitador (I / S VDDQ), que l'estàndard LPDDR4X redueix en un 45%, passant de 1, 1 V a 0, 6 V.
Els dispositius LPDDR4X de 12 Gb (1, 5 GB) de Micron tenen una capacitat lleugerament inferior a la dels dispositius LPDDR4X de 16 Gb (2 GB) de la competència, però també són més barats de fabricar. Com a resultat, Micron pot oferir paquets LPDDR4X-4266 de 64 bits amb una capacitat de 48 Gb (6 GB) i un ample de banda de 34, 1 GB / s de menor cost que alguns dels seus competidors.
La DRAM LPDDR4X de 12 GB és el primer producte de Micron que es fabrica utilitzant la tecnologia de procés de 10 nm de segona generació de la companyia, per la qual cosa és d'esperar que Micron llanci més DRAMs que es fabriquin amb la mateixa tecnologia de 10 nm. Això significa un menor consum d'energia i unes majors freqüències.
A l'igual que altres fabricants de DRAM, Micron no sol anunciar els productes abans d'enviar el primer lot. Per tant, al menys un client de Micron pot haver rebut i als seus dispositius amb aquest tipus de memòria.
font TechreportSk Hynix inicia la producció en massa de la seva 3d nand de 72 capes
SK Hynix ha aconseguit guanyar la batalla i el rendiment de la fabricació de la seva memòria 3D NAND de 72 capes ha pujat de forma espectacular.
TSMC començarà la producció massiva de xips de 5nm el 2020
El salt cap al procés de fabricació de 5nm ja està en marxa i la seva producció en massa començarà a partir de l'any 2020.
Dram: empresa xinesa comença la seva pròpia producció massiva de drams
Una empresa xinesa recolzada per l'Estat, Changxin Memory Technologies, ha començat la producció en massa del seu primer xip DRAM.
