Samsung anuncia el primer xip lpddr4 de 8 gb

Samsung ha anunciat la creació del primer xip de memòria LPDDR4 amb una capacitat de 8 GB que promet millorar en gran mesura l'experiència multimèdia en tots els nostres dispositius mòbils, especialment en el cas dels que disposen d'una pantalla amb resolució Ultra HD.

Samsung dóna un enorme pas endavant amb el seu xip LPDDR4 de 8 GB

El nou "superchip" de 8 GB LPDDR4 de Samsung utilitza un total de quatre xips de 16 gigabit (Gb) LPDDR4 fabricats en el procés a 10 nm per aconseguir un empaquetat final de 8 GB de capacitat. Samsung afirma que amb això serà possible una nova generació de dispositius mòbils molt més capaços que els actuals i que és una necessitat davant la nova era dominada per les pantalles Ultra HD, la realitat virtual i les càmeres de doble sensor.

Aquest nou xip de 8 GB LPDDR4 funciona a una velocitat de 4.266 Mbp s pel que és el doble de ràpid que les memòries DDR4 més comuns que trobem en els PC que funcionen a una velocitat de 2.133 Mbps. La seva gran velocitat li permet obtenir un ample de banda de 34 GB / s a l'usar una interfície de només 64 bits. Gràcies a això tindrem dispositius mòbils amb un rendiment molt superior a les tasques més exigents com la reproducció de vídeo Ultra HD, videojocs amb gràfics més complexos i per suposat la mateixa realitat virtual.

L'avançat procés de fabricació a 10 nm permet una gran eficiència energètica de manera que el consum de bateria es redueix i ajuda a millorar l'autonomia. El nou xip consumeix la mateixa energia que els dissenys anteriors de 4 GB pel que suposa un gran avanç en aquest camp. El xip es construeix amb unes dimensions de només 15 mm x 15 mm i un gruix de 1 mm, amb això es redueix la necessitat d'espai a l'mínim per permetre una nova generació de dispositius ultra prims i més atractiu s.

Font: techpowerup