Samsung comença la producció de les seves noves memòries EMRAM

Samsung Electronics ha anunciat avui que ha començat la producció en sèrie de les seves noves memòries EMRAM utilitzant un procés de fabricació de 28 nanómetros (FD-SOI).

Les memòries EMRAM de Samsung prometen revolucionar la indústria

La memòria MRAM porta des de fa molts anys en desenvolupament i es tracta d'una RAM magnètica no volàtil, el que vol dir que no perd les dades quan deixa de tenir energia, com passa amb una memòria RAM normal d'avui dia.

La solució EMRAM de Samsung basada en 28FDS ofereix avantatges de potència i velocitat sense precedents amb un cost menor. Atès que EMRAM no requereix un cicle d'esborrat abans d'escriure dades, la seva velocitat d'escriptura és aproximadament mil vegades més ràpida que eFlash. A més, EMRAM utilitza voltatges més baixos que les memòries Flash, i no consumeix energia elèctrica quan està en mode d'apagada, el que dóna com a resultat una gran eficiència energètica.

Els avantatges sobre les memòries que s'utilitzen avui en dia com les memòries RAM i Flash són revolucionàries, amb latències de 1ns, major velocitat i major resistència. Les memòries EMRAM van ser concebudes per substituir les actuals memòries RAM i Flash NAND, encara que per això haurem d'esperar una mica.

Es comenta que els primers mòduls creats per Samsung tindran una capacitat molt limitada. L'empresa coreana no ha volgut donar massa detalls sobre els mòduls que s'estan fabricant, però la intenció és començar a testejar un mòdul de 1GB abans que finalitzi el 2019. Més endavant, Samsung també té previst fer EMRAM utilitzant el seu procés 18FDS, així com a nodes basats en FinFET més avançats.

Aquest pot ser el naixement d'una nova era en el que a emmagatzematge informàtic es refereix. Estarem seguint la seva evolució.

font TechpowerupAnandtech