Samsung comença la producció en massa de la seva segona generació 10 nm finfet 10lpp

Samsung ha anunciat en el dia d'avui l'inici de la producció en massa de xips basats en el seu procés de fabricació a 10 nm FinFET 10LPP de segona generació, amb això s'aconseguirà un nou nivell de rendiment i eficiència energètica.

Samsung ja té llestos els 10 nm FinFET 10LPP

Aquest nou procés de fabricació s'ha batejat com 10 nm FinFET 10LPP (Low Power Plus) i es caracteritza per oferir una reducció en el consum d'energia d'un 15% en comparació del seu prevalgués versió dels 10 nm FinFET, alhora es millora el rendiment en un 10% pel que tenim una millora força important. Això es traduirà en nous dispositius mòbils amb millor autonomia i més potents per a tot tipus de tasques.

AMD usarà un procés a 12 nm LP FinFET per a la segona generació de Ryzen i Vega

Els primers SoCs fabricats amb aquest procés a 10 nm FinFET 10LPP arribaran a principis d'any 2018 tot i que la seva disponibilitat serà bastant limitada a el principi, tal com sol passar en totes les generacions.

"Podrem servir millor als nostres clients a través de la migració de 10LPE a 10LPP amb un millor rendiment i un major rendiment inicial", va dir Ryan Lee, vicepresident de Foundry Màrqueting de Samsung Electronics. "Samsung amb la seva llarga experiència en l'estratègia de processos de 10nm continuarà treballant en l'evolució de la tecnologia de 10nm fins 8LPP per oferir als clients avantatges competitius diferents per a una àmplia gamma d'aplicacions".

Samsung també ha anunciat que la seva nova línia de producció S3 a Corea és perquè el procés a produir xips a 10 nm i futures litografies com els 7nm FinFET amb tecnologia EUV que es produiran en massa en aquesta última fàbrica.

font techpowerup