Samsung i arm anuncien una important col·laboració amb els 7/5 nm finfet

Samsung i ARM han anunciat una ampliació de la seva col·laboració amb l'avançat procés de fabricació a 7/5 nm FinFET, el que els permetrà mantenir-se per davant de la competència en la computació d'alt rendiment.

Samsung i ARM posen en marxa una important col·laboració amb els 7 i 5 nm FinFET de la signatura sud-coreana

Samsung i ARM esperen que aquesta col·laboració els porti a començar a produir processadors basats en l'arquitectura ARM Cortex-A76 que siguin capaços de funcionar a més de 3GHz. La col·laboració entre Samsung i ARM en els camps de solucions IP és crucial per augmentar el poder de còmput d'alt rendiment i accelerar el creixement de la Intel·ligència Artificial i les capacitats d'Aprenentatge Automàtic.

Et recomanem la lectura del nostre post sobre Apple i Samsung posen fi a les seves disputes legals després de set anys

Les dues companyies aprofitaran les tecnologies de procés 7nm Low Power Plus (7LPP) i 5nm Low Power Early (5LPE) de Samsung. 7LPP hauria d'estar llest per a la producció inicial en aquesta segona meitat d'any 2018. ARM proporcionarà la plataforma IP física d'ARM Artisan, que inclou arquitectura lògica HD, un conjunt complet de compiladors de memòria i biblioteques GPIO de 1.8V i 3.3V.

ARM i Samsung han col·laborat en una gran quantitat de xips utilitzant l'IP físic de Artisan en les tecnologies de procés de Samsung. Els nodes 7LPP i 5LPE de Samsung són tecnologies de procés innovadores que satisfaran les necessitats dels seus clients mutus, de lliurar la propera generació de SoCs de centres de dades mòbils a hiperescalares. ARM va declarar al maig que portaria a el mercat dels portàtils Cortex-A76 en 2019 que poden superar la velocitat de 3GHz.

Aquesta important col·laboració entre Samsung i ARM ens hauria de permetre gaudir d'una nova generació de dispositius mòbils amb capacitats molt millorades.