Samsung ja fabrica memòries hbm2 de 8 gb a 2,4 Gbps

Samsung ha donat un nou i important pas endavant en la tecnologia de memòria apilades d'alt ample de banda, més coneguda com HBM per les sigles en anglès. La firma coreana ja ha iniciat la producció en massa de stacks de memòria HBM2 de segona generació amb una capacitat de 8 GB a una velocitat de 2, 4 Gbps.

Samsung comença la producció de HBM2 de segona generació

Samsung ha comunicat que ja ha iniciat la fabricació en massa de les seves xips de memòria HBM2 de segona generació, aquests vénen amb una capacitat de 8 GB per stack, i amb una freqüència de funcionament efectiva de 2, 4 Gbps per accelerar les capacitats de la supercomputació basada en GPU de nova generació.

Stratix 10MX FPGA és el primer processador HPC d'Intel amb memòria HBM2

Aquesta nova memòria HBM2 de segona generació funciona amb un voltatge de 1, 2V, el que permet una major eficiència energètica enfront de la HBM2 de primera generació que usava el mateix voltatge, però només aconseguia una freqüència de 1, 6 Gbps. Gràcies a això un sol stack d'aquesta nova memòria obté un ample de banda de 307 GB / s, el que és gairebé deu vegades més que la memòria GDDR5 que s'ha estat utilitzant els últims anys en gairebé totes les targetes gràfiques de l'mercat.

Per fer això possible s'ha fet servir la tecnologia TSV (Through Silicon Via) per fer més de 5000 connexions per die, cosa que no ha estat gens fàcil d'aconseguir de forma reeixida en un empaquetat tan petit i que demostra el lideratge de Samsung.

D'aquesta manera Samsung fa possible una nova generació de targetes gràfiques amb un ample de banda de memòria de fins a 1, 2 TB / s, el que permetrà augmentar les seves capacitats en gran mesura. Per ara no s'espera que les targetes destinades a l'gaming facin ús d'aquesta nova tecnologia, per a elles està esperant la GDDR6.

font techpowerup