Snapdragon 835 veu filtrades les seves característiques: 8 cores i 10 nm finfet

Qualcomm vol començar l'any donant un bon cop d'autoritat en el sucós mercat dels smartphones, i no hi ha millor manera de fer-ho que anunciant el que serà el seu nou processador topall de gamma. El Qualcomm Snapdragon 835 donarà vida a una nova generació de dispositius més capaços que mai gràcies als seus 8 nuclis d'alt rendiment i l'eficiència de l'procés a 10 nm FinFET.

El Snapdragon 835 serà anunciat la setmana que ve en el CES 2017, el nou processador es fabrica amb l'avançat procés a 10 nm FinFET de segona generació per donar un important salt en eficiència energètica. Gràcies a això el processador consumirà un 20% menys que l'Snapdragon 820 tot i ser clarament superior amb la inclusió d'un total de vuit nuclis Kryo 280 que es veuen dividits en dos clúster de quatre nuclis a 2.45 GHz i 1.90 GHz.

Et recomanem la nostra guia dels millors smartphone de gamma mitjana i baixa.

En l'apartat dels gràfics trobem la GPU Adreno 540 per oferir un gran rendiment en videojocs i compatibilitat amb les APIs modernes com DirectX 12 i Vulkan. Seguim amb un DSP Hexagon 690 que permet la reproducció de contingut a resolució 4K i 60 FPS. La informació filtrada es completa amb la connexió 4G LTE Cat.16 amb una velocitat de descàrrega màxima de 1.000 Mbps.

Font: videocardz