Sz985 z

Samsung ha publicat oficialment informació sobre la seva nova sèrie SZ985 SSD Z-NAND, un producte especialment dissenyat per contrarestar un dels més grans colls d'ampolla emergents en el món de l'emmagatzematge, la latència de memòria.

Unitats Z-NAND de Samsung promet ser mes econòmiques que Intel Optane

És clar que aquest obstacle de latència ha de superar-se per millorar els dispositius d'emmagatzematge, no només permetent que es transfereixin més dades en un temps determinat, sinó que també permeti que aquests mitjans d'emmagatzematge responguin als comandos més ràpidament, permetent que les dades es lliurin d'una manera més oportuna i accelerin el rendiment de el sistema.

La nova memòria Optane 3D XPoint d'Intel està dissenyada per abordar aquest problema de latència de memòria a l'igual que el nou Z-NAND de Samsung, però donada la tecnologia d'aquest últim, és més barata de produir, amb l'objectiu d'aconseguir un gran rendiment a un preu més baix que un dispositiu Optane.

Amb la unitat SSD SZ985 Z-NAND, Samsung es presumeix que pot arribar a un rendiment de lectura i escriptura seqüencial de 3, 2 GB / s i un rendiment de 750.000 / 170.000 IOPS de lectura i escriptura aleatòries, les dues impressionants xifres de rendiment per una unitat SSD basada en NAND.

El que és més impressionant és la latència de les memòries Z-NAND, que s'ha aconseguit tant amb la pròpia Z-NAND com amb els canvis en el disseny de el controlador de memòria. Samsung diu que han reduït la latència fins a 5, 5 vegades en comparació amb altres unitats SSD NVMe, el que permet que les dades es lliurin molt més ràpid.

Encara no sabem quan arribessin les primeres unitats SSD Z-NAND de Samsung a el mercat, però sembla que estan cada vegada més a prop.

font Overclock3d