Toshiba desenvolupa la primera memòria nand QLC de 4 bits per cel·la
Taula de continguts:
Toshiba, un dels líders mundials en fabricació de memòria NAND, ha anunciat avui la seva nova tecnologia de memòria NAND QLC amb una densitat d'emmagatzematge superior a la que ofereix la TLC per a una nova generació de dispositius de gran capacitat a uns preus raonables.
Toshiba ja té la primera memòria NAND QLC de el món
La nova memòria BIC FLASH 3D de Toshiba es basa en la tecnologia QLC per convertir-se en la primera memòria 3D de el món capaç d'emmagatzemar un total de 4 bits per cel·la. Aquests nous xips ofereixen una capacitat de 768 gigabit el que és notablement superior als 512 gigabit que s'assoleixen amb les actuals memòries TLC.
Et recomanem la lectura de Discos SSD amb memòries TLC vs MLC
La nova memòria QLC BIC FLASH de Toshiba es construeix amb un disseny de 64 capes per arribar a una capacitat per die de 768 gigabit, el que és equivalent a 96 gigabytes i permet oferir dispositius amb ni més ni menys que 1, 5 TB de capacitat amb l'ús d'un stack de 16 dies en un sol empaquetat. Amb això Toshiba es converteix en l'empresa líder en densitat d'emmagatzematge flash.
Els enviaments de les primeres mostres de la nova memòria QLC de Toshiba començaran a fer-se aquest mes de juny perquè els fabricants de discos SSD i els seus controladores puguin començar a treballar el més aviat possible. També es mostraran les primeres mostres en l'esdeveniment Flash Memory Summit que tindrà lloc entre el 7 i el 10 d'agost a Santa Clara.
Veurem si l'arribada de les memòries QLC s'acompanya d'una nova i important baixada en els preus dels discos SSD, els quals fa mesos que no paren de pujar donada la gran demanda de xips de memòria NAND per part dels fabricants de smartphones.
Font: techpowerup
Micron fabriqués memòries nand olc de 8 bits per cel·la en 2019
Micron ja treballa en la següent generació de memòries NAND Flash OLC, que oferiran 8 nivells NAND per a una major densitat de dades. Micron té en
Samsung desenvolupa la primera dram de 10 nm de tercera generació
Samsung ha anunciat que ha desenvolupat per primera vegada en la indústria una DRAM de 10 nanòmetres (1Z-nm) de vuit gigabits (Gb) de doble velocitat de
Toshiba ja desenvolupa la tecnologia flash ssd de 5 bits per cel·la (plc)
Toshiba ja ha començat a planificar les properes generacions BIC Flash. Cada nova generació coincidirà amb els nous estàndards PCIe.
