Toshiba li planta cara a optane amb la seva tecnologia xl

Toshiba va anunciar al Flash Memory Summit que està desenvolupant la tecnologia 3D XL-Flash, amb un enfocament cap a la creació de memòries 3D NAND de baixa latència que pugui competir amb les emergents tecnologies de memòria Optane i 3D XPoint. Toshiba diu que el nou enfocament de la memòria NAND de baixa latència podria reduir els valors de latència a només 1/10 de el preu actual de l'NAND TLC per al consumidor.

La tecnologia XL-Flash promet millorar la latència de les memòries 3D-NAND

Una arquitectura NAND actualitzada amb XL-Flash podria ser un equivalent al que està fent Samsung amb la seva tecnologia Z-NAND, que podrien fer abaratir els costos de producció pel que fa a Optane. Toshiba utilitzarà la seva tecnologia flash BIC, però XL-Flash es desplegarà, al menys a del principi, en implementacions SLC, per tal de millorar el rendiment (7 microsegons de temps de resposta davant els 30 microsegons d'QLC). Per descomptat, això reduirà la densitat d'emmagatzematge, però recordem que l'objectiu és oferir un rendiment similar al d'Optane i una densitat igual o millor a un preu més baix.

Els passos que Toshiba ha pres per augmentar el rendiment inclouen l'escurçament de línies de bits i línies de paraules, connexions internes entre cel·les, o nes rutes entre cel·les més curtes signifiquen menor latència i millor rendiment. A més, el paral·lelisme i el rendiment s'han incrementat mitjançant l'addició de més plans flaix, regions independents que poden respondre a les sol·licituds de dades de forma simultània.

S'espera que el XL-Flash s'utilitzi com a memòria cau en unitats QLC d'alta densitat, així com productes independents que busquen destronar l'ofert per les memòries Optane d'Intel.

Toshiba sembla ambiciosa amb la iniciativa XL-Flash, i té amb que, a l'ésser un dels majors fabricants de memòries de l'món.

font Techpowerup