TSMC anuncia transistors de 5nm per HVM q2 / 2020
Taula de continguts:
Pel que fa a la fabricació de transistors per a components electrònics, TSMC és una de les empreses més importants de la indústria. Per això, el seu últim anunci ens sembla bastant interessant. Segons diuen, per a la segona meitat de 2020 tenen pensat començar la fabricació de transistors de 5nm.
TSMC
El vicepresident i CEO de l'empresa CC Wei ha anunciat que els plans per transistors de 5nm estan de tornada.
Aquesta notícia és realment molt interessant, ja que ens mostra com evoluciona la indústria. El canvi des dels 7nm fins als 5nm sembla que serà molt més ràpida que des dels 14nm o 10nm fins als 7nm, tot i que encara no hi ha gairebé res confirmat.
Les Fabricacions de Gran Volum (HVM, en anglès) estan planejades per al segon quart de 2020. El tema és que encara cap empresa (AMD, Nvidia o Intel) ha publicat el seu full de ruta més enllà dels 7nm. L'únic que ha donat indicis d'això ha estat l'equip vermell, el qual només ha donat peu a pensar que tindrem transistors més petits per Zen 4 i en endavant.
Això ha estat possible per la gran inversió que han fet TSMC en el procés de desenvolupament. A el principi, estava planejat usar al voltant de 10 mil milions $ USD, però amb els grans beneficis que han obtingut, van augmentar la inversió fins als 14 - 15 mil milions.
Aquest nou sistema, farà servir Litografia Extrema ultraviolada (EUVL, en anglès) en moltes més capes que el procés anterior. Aquest nou sistema trigarà un temps a madurar, ja que TSMC està aconseguint noves màquines per a aquest complex procés.
No debades, quan la maquinària estigui preparada completament, la marca espera tenir un creixement d'entre el 5 - 10%.
I tu, què esperaries del pròxims elements amb transistors de 5nm? Creus que les empreses tindran problemes a desenvolupar noves micro-arquitectures? Comparteix les teves idees a la caixa de comentaris.
Font AnandtechTech Power UpSamsung anuncia el procés mbcfet de 3nm, els 5nm arribessin el 2020
Aquests inclouen 5nm FinFET i una variació de 3nm GAAFET que Samsung ha registrat com a MBCFET (Multi-Bridge-Channel-FET).
TSMC fabricarà xips EUV n5 per al doble de densitat de transistors
La producció de risc per al node de 5nm de TSMC, conegut com el N5, va començar el 4 d'abril i estarà llest a ple per a l'any 2021.
Intel presenta la FPGA mes gran de món amb 43,3 bilions de transistors
Intel va presentar avui la FPGA de major capacitat de l'món, un gran paquet de chiplets amb 43.300 milions de transistors.
