Uk iii-v memory, memòria no

Investigadors de la Universitat de Lancaster al Regne Unit han tingut èxit en els seus esforços per crear un tipus de memòria flash no volàtil que sigui tan ràpida com la DRAM però que utilitzi només l'1% de l'energia que les memòries NAND o DRAM modernes necessiten per escriure bits de dades. La memòria es diu UK III-V Memory.

UK III-V Memory, Memòria no-volàtil tan ràpida com la DRAM consumint 100 vegades menys

L'ús d'energia requerit és d'aproximadament 10 a la potència de -17 joules per una porta construïda en el procés litogràfic de 20nm. Els transistors de la memòria UK III-V tindran un estat típicament apagat, i la càrrega d'una porta portaria al voltant de 5NS amb el buidament prenent 3ns, les dues xifres molt respectables. És probable que aquestes xifres siguin una mica més altes una vegada que s'afegeixi un controlador, però això seria una compensació que valdria la pena per l'eficiència guanyada.

El desenvolupament està encara en l'etapa de transistors simples, de manera que traduir això a un producte comercial complet està encara molt lluny. No obstant això, l'assoliment de construir una memòria no volàtil que sigui prou eficient i ràpida per competir amb la DRAM és tot un èxit.

Tenir una memòria no volàtil tan ràpida com la DRAM és interessant perquè pot utilitzar-se per construir PCs que puguin mantenir les dades que actualment guardem a la RAM quan el sistema està totalment apagat i pot, per tant, reprendre en un instant des d'on es va deixar d'un estat d'apagada complet. Això eliminaria la necessitat dels estats de repòs i també permetria als sistemes apagar la RAM quan estan en repòs, reduint encara més el consum d'energia.

Visita la nostra guia sobre les millors memòries RAM de mercat

La pregunta que ve a la ment és si la memòria UK III-V pot gestionar les repetides reescriptures a què se sotmet a la DRAM típicament. Si el desgast és un problema, això podria aixafar qualsevol somni d'un ordinador amb una RAM no volàtil.

font tomshardware