Micron comença la producció de memòries DDR4 de 16gb classe 1Z
Taula de continguts:
Micron va anunciar que ha començat la producció en sèrie dels seus mòduls DDR4 RAM de 16 Gb utilitzant el node de procés 1Z, que actualment és el node de procés més petit de la indústria. Micron és la primera empresa de DRAM que fabrica productes RAM DDR4 de 16 Gb classe 1Z, i creu que això li permetrà oferir "solucions d'alt valor en una àmplia gamma d'aplicacions per al client final".
Micron comença la producció de memòries DDR4 de 16Gb classe 1Z
El node de procés de 1Z per 16Gb DDR4 ofereix una densitat de bits molt més gran juntament amb un lleuger augment de rendiment i un cost inferior en comparació amb la generació anterior de nodes de procés 1Y. El nou node també permet una reducció de l'40% en el consum d'energia en comparació amb les generacions anteriors de mòduls DDR4 RAM de 8 Gb.
El nou node de procés ofereix una major flexibilitat perquè els nous productes DDR4 s'utilitzin en una àmplia gamma d'aplicacions, incloent intel·ligència artificial, vehicles autònoms, 5G, dispositius mòbils, gràfics, jocs, infraestructura de xarxa i servidors. No obstant això, Micron sembla donar prioritat als clients de centres de dades que sempre busquen un major rendiment, consum d'energia i un menor cost.
Visita la nostra guia sobre les millors memòries RAM de mercat
Micron també va anunciar que havia començat els enviaments en volum de la DRAM 4X (LPDDR4X) amb doble velocitat d i dades monolítica de 16 Gb de baixa potència i la més alta capacitat de la indústria en paquets multixip basats en UFS (uMCP4). Els productes 1Z nm LPDDR4X i uMCP4 es dirigeixen principalment a les empreses de telèfons intel·ligents que busquen una millor durada de la bateria i components més petits per posar en els seus dispositius.
Samsung, el principal competidor de Micron en el mercat de DRAM, va anunciar la primavera passada que començaria la producció de mòduls DDR4 de 1Z nm i 8Gb en la segona meitat d'aquest any, en preparació per al llançament de la propera generació de productes de memòria DDR5, LPDDR5 i GDDR6.
Samsung comença la producció en massa de les seves memòries v
Samsung ha començat amb la producció en massa de la seva nova tecnologia V-NAND de 64 capes que aconsegueix una densitat de 256 Gb per xip.
Samsung comença la producció de les seves noves memòries EMRAM
Samsung ha anunciat avui que ha començat la producció en sèrie de les seves noves memòries EMRAM utilitzant un procés de fabricació de 28 nm.
Samsung comença la producció de memòries de 12 gb lpddr5
Aquests mòduls LPDDR5 tindran una velocitat de 5.500 Mbps, un augment de 1,3 vegades la velocitat dels mòduls LPDDR4X existents.
